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参数目录41892
> IXTY1R6N50P MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
型号:
IXTY1R6N50P
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
IXYS
描述:
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IXTY1R6N50P PDF
产品目录绘图
TO-252(AA), DPAK-2 Package
标准包装
75
系列
PolarHV™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
6.5 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
5.5V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
3.9nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
140pF @ 25V
功率 - 最大
43W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
TO-252,(D-Pak)
包装
管件
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